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EMG 90-DIO 32M/LP
EMG 90-DIO 32M/LP 2954785 PHOENIX CONTACT Diode block
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主な仕様
GTIN:4017918085124
注文キー:2954785
カタログページ:Page 281 (C-5-2017)
梱包単位:5 pc
サプライヤー情報
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技術仕様
| パラメータ | 価値 |
|---|---|
| GTIN | 4017918085124 |
| 注文キー | 2954785 |
| カタログページ | Page 281 (C-5-2017) |
| 梱包単位 | 5 pc |
| 原産国 | DE (Germany) |
| 関税番号 | 85411000 |
| （周囲条件） | 0.2 A (with simultaneous loads) |
| ねじ山（一般） | M3 |
| ストリップ長さ（一般） | 8 mm |
| 接続方法（一般） | Screw connection |
| 深さ（主要な商業データ） | 55 mm |
| 幅（主要商業データ） | 90 mm |
| （基準および規制） | For details about hazardous substances go to tab “Downloads”, Category “Manufacturer's declaration” |
| 高さ（主要商業データ） | 75 mm |
| 適合性（接続データ） | CE-compliant |
| 1個あたりの重量（梱包を除く） | 165.200 g |
| 中国RoHS（規格と規制） | Environmentally Friendly Use Period = 50 |
| 取り付け位置（周囲条件） | any |
| 規格・規制（接続データ） | DIN EN 50178 |
| 組み立て手順（周囲条件） | In rows with zero spacing |
| 導体断面積 AWG 最大 (一般) | 12 |
| 導体断面積AWG最小値（一般） | 24 |
| 周囲温度（動作）（寸法） | -20 °C ... 50 °C |
| 導体断面積（固体最大）（一般） | 4 mm² |
| 導体断面積（最小）（一般） | 0.2 mm² |
| 規格・仕様（周囲条件） | DIN EN 50178 |
| ダイオードあたりの逆電流（周囲条件） | ≤ 5 µA |
| 導体断面積最大可とう性（一般） | 2.5 mm² |
| 導体断面積（フレキシブル）最小値（一般） | 0.2 mm² |
| ダイオードあたりのピーク逆電圧（周囲条件） | 1300 V |
| 周囲温度（保管/輸送）（寸法） | -40 °C ... 70 °C |
| ダイオードあたりの導通状態電流（周囲条件） | 0.7 A (with single load) |
| ダイオードあたりの導通状態電圧（周囲条件） | approx. 0.8 V |
製品説明
Lamp test module, 2 diodes with common cathode, respectively: 16-pair execution, with common activation
主な機能
- 産業グレードの品質
- RoHS準拠
- CE認証取得
- 1年保証
製品資料
データシート
技術仕様と性能データ
ユーザーマニュアル
設置・操作ガイド
